Home Notícias Micron revelou dispositivo de memória flash NAND mais pequeno do mercado

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A Micron Technology apresentou o dispositivo de memória flash NAND mais pequeno da indústria de 128 gigabit utilizando a sua premiada tecnologia de processo de 20 nanômetros (nm). Os novos dispositivos de 128Gb armazenam três bits de informação por célula, chamando-se células de nível triplo (CCF) criando uma solução de armazenamento muito compacto. Este novo dispositivo resulta de uma cooperação com a Intel para a conquista rápida e efetiva do mercado em que se vai enquadrar.

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Medindo 146 mm², o novo dispositivo TLC de 128Gb é 25 por cento menor do que os dispositivos NAND da Micron de mesma capacidade (20 nm) de células de níveis múltiplos (MLC). O dispositivo TLC de 128 Gb encontra-se voltado para o mercado de armazenamento removível a preço de custo competitivo (cartões de memória flash e drives USB), sendo projetado para consumir 35 por cento do total de “gigabytes NAND” no calendário da Micron para 2013. Atualmente este dispositivo NAND encontra-se em testes com clientes selecionados para poder ser integrado num próximo trimestre.
“Este é o dispositivo de memória flash NAND menor da indústria e de maior capacidade elevando a aptidão de uma nova classe de aplicações de armazenamento de consumo”, disse Glen Hawk, vice-presidente do Grupo de Soluções NAND da Micron. Afirmou ainda: “Todos os dias ficamos a saber de situações de uso novas e inovadoras de armazenamento flash, sustentando a emoção e oportunidade para Micron. Estamos empenhados em enriquecer o nosso portfólio de soluções líderes de armazenamento flash que servem a nossa ampla base de clientes.”

Micron tem previsto apresentar um trabalho sobre o dispositivo TLC NAND de 128Gb na próxima Conferência Internacional de Circuitos de Estado Sólido (ISSCC), dia 19 de Fevereiro em San Francisco, Califórnia.

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