Home Notícias Hybrid Memory Cube

A tecnologia anda sempre em constante evolução sendo o reflexo de evoluções precisas e contínuas tanto a nível de software como a nível de hardware.
Apesar do mercado dos computadores estar em decadência, as inovações e invenções neste segmento continuam a crescer fortemente, temos desde a tecnologia quântica (qubit), que proporciona processamento de informação a enormes velocidades até agora às Hybrid Memory Cube.

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A Hybrid Memory Cube Consortium foi criada em 2011 pela Micron e Samsung e é apoiada por 100 entidades que inclui empresas como, Microsoft, Intel, ARM, HP e Hynix.Consiste num chip com várias pilhas de memórias voláteis em cima de um controlador DRAM. A DRAM é ligada ao controlador através da tecnologia VIA (Vertical Interconnect Access).

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Os primeiros Hybrid Memory Cube vão sair nas versões de 2 e 4GB de memória com uma banda larga bidireccional até 160GB/s. Comparando com as memórias DDR3 e DDR4, que têm uma banda larga de 11GB/s e 18 -21GB/s respectivamente, o HMC proporciona uma velocidade de 8 a 15 vezes superior.

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A complexidade e carga de gestão e processamento dos chips DRAM, causam um enorme consumo energético enquanto por outro lado, as Hybrid Memory Cube têm um consumo 70% inferior aos outros standards. Jim Handy, director de pesquisa de análise objectiva, afirmou:

Hybrid Memory Cube technology solves some significant memory issues. Today’s DRAM chips are burdened with having to drive circuit board traces or copper electrical connections, and the I/O pins of numerous other chips to force data down the bus at gigahertz speeds, which consumes a lot of energy.

A tecnologia HMC, reduz a carga de tarefas que um DRAM deve executar de modo a que ele passe a ser só o responsável por conduzir as TSVs (Through-Silicon-VIA), que estão ligadas a cargas muito mais baixas. O controlador que está por baixo da pilha das DRAM, vai-se encarregar de controlar a placa de circuitos e os pinos de processamento de entrada e saída (I/O). Esta interface de comunicação é 15x mais rápida do que uma DRAM comum aliada a uma redução de 70% de consumo de energia.

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O Hybrid Memory Cube Consortium definiu duas interfaces físicas para o processador, uma de curta distância e outra de distância ultra-curta. A de curto alcance é semelhante à maioria das tecnologias das motherboards de hoje, onde a DRAM ocupa 8 a 10 centímetros do CPU. Esta tecnologia de curto alcance é destinada principalmente para uso em aplicações de rede e tem o objectivo de aumentar o rendimento de 15Gbps por pino até 28Gbps por pino enquanto a de alcance ultra-curta, é destinada para um baixo consumo de energia, para projectos FPGAs, ASICs e ASSPs, como redes de alto desempenho e para teste de aplicações. Esta interface terá um canal de 1 / 3 polegadas do espaço do CPU, e tem uma transferência de dados de 15Gbps por pino.

Basicamente as HMC resolvem todos os problemas que as memórias DDR3, DDR4, etc, têm e que as impediam de atingir velocidades melhores. A data de lançamento desta tecnologia está apontada para o início do próximo ano.

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